AMR1K0V170E1
AMR1K0V170E1
AMR1K0V170E1
Référence :
AMR1K0V170E1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1700V 1000MR, TO247-3L, INDUSTRI
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$5.98
$5.98
30+
$3.33
$99.9
120+
$2.75
$330
510+
$2.32
$1183.2
1020+
$2.16
$2203.2
2010+
$2.03
$4080.3
5010+
$1.89
$9468.9
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Boîtier
TO-247-3
Dissipation de puissance (Max)
100W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Tension Drain-Source (Vdss)
1700 V
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 20V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3L
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
16.7 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+27V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
227 pF @ 1000 V
Derniers produits
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-