AS6004
Référence :
AS6004
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
7710
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$0.54
$0.54
10+
$0.33
$3.3
100+
$0.21
$21
500+
$0.16
$80
1000+
$0.14
$140
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de FET
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Dissipation de puissance (Max)
1.5W (Ta)
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23-3L
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
930 pF @ 30 V
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