ASZM040120T
Référence :
ASZM040120T
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
13
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$11.48
$11.48
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Dissipation de puissance (Max)
340W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Boîtier
TO-247-4
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)
+25V, -10V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 9.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 40A, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2820 pF @ 1000 V
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