CBR08P65D
CBR08P65D
CBR08P65D CBR08P65D
Référence :
CBR08P65D
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
13
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.26
$3.26
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
电容 @ Vr, F
-
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 8 A
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Courant - Moyenne redressée (Io)
29A
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
650 V
Courant - Fuite inverse @ Vr
25 µA @ 650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252-2L
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