CGD65B130SH2
Référence :
CGD65B130SH2
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
4949
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$7.81
$7.81
10+
$5.28
$52.8
100+
$3.94
$394
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (5x6)
Boîtier
8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
12V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 4.2mA
Vgs (Max)
+20V, -1V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 12 V
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