CGD65B240SH2
Référence :
CGD65B240SH2
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
6255
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$5.93
$5.93
10+
$3.95
$39.5
100+
$2.83
$283
500+
$2.73
$1365
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
7A
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (5x6)
Boîtier
8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
12V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+20V, -1V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
336mOhm @ 500mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 2.3mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1.2 nC @ 12 V
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