CMS120N080B
Référence :
CMS120N080B
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$20
$20
10+
$14.24
$142.4
100+
$11
$1100
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263-7
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Boîtier
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Dissipation de puissance (Max)
188W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 20V
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