DCK10I1200HA
DCK10I1200HA
DCK10I1200HA
Référence :
DCK10I1200HA
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$5.93
$5.93
30+
$3.33
$99.9
120+
$2.76
$331.2
510+
$2.34
$1193.4
1020+
$2.23
$2274.6
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
1200 V
Boîtier
TO-247-2
Courant - Moyenne redressée (Io)
30A
Courant - Fuite inverse @ Vr
100 µA @ 1200 V
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 10 A
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247
电容 @ Vr, F
575pF @ 1V, 1MHz
Derniers produits
F1M
F1M
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.3V@1A 500NS 1A 1KV SOD-123FL
SS34F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
40V INDEPENDENT TYPE 3A 550MV@3A
US1DF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1V@1A 50NS INDEPENDENT TYPE 1A 2
ES3JBF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
3A 600V SMBF
ES2GB
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.25V@2A 35NS 2A 400V SMB(DO-214
LL60P
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
25V 100MA 600MV@30MA LL-34
US2MF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.65V@2A 75NS INDEPENDENT TYPE 2
SS310F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
100V INDEPENDENT TYPE 3A 850MV@3