DCK20C650HB
DCK20C650HB
DCK20C650HB DCK20C650HB
Référence :
DCK20C650HB
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC SCHOTTKY DIODE COMMON CATHOD
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$6.62
$6.62
30+
$3.76
$112.8
120+
$3.13
$375.6
510+
$2.67
$1361.7
1020+
$2.59
$2641.8
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Configuration de diode
1 Pair Common Cathode
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247 (IXTH)
Courant - Moyenne Redressée (Io) (par Diode)
60A
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
650 V
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.55 V @ 10 A
Courant - Fuite inverse @ Vr
10 µA @ 650 V
Derniers produits
BAT54CW
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
30V 1 PAIR OF COMMON CATHODES 1V
VS-4C60CP07L-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
VS-4C60CP07LHM3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
RBR40NS40ATL
ROHM Semiconductor
LOW VF, 40V, 40A, TO-263S (D2PAK
RB706F-40
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
40V INDEPENDENT TYPE 370MV@1MA 3
BAV199TB_R1_00701
Panjit International Inc.
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SWITCH
BAV199TB-AU_R1_007A1
Panjit International Inc.
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SWITCH
BAV170TB_R1_00701
Panjit International Inc.
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SWITCH