DMP2016UFDE-7
Référence :
DMP2016UFDE-7
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
IC
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$0.79
$0.79
10+
$0.49
$4.9
100+
$0.32
$32
500+
$0.24
$120
1000+
$0.22
$220
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
20 V
Vgs (Max)
±8V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
1.8V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Dissipation de puissance (Max)
900mW (Ta)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1710 pF @ 15 V
Boîtier
6-PowerUDFN
Fournisseur Dispositif Emballage
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 7A, 4.5V
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