E3M0900170D
Référence :
E3M0900170D
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1963
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$7.46
$7.46
30+
$4.24
$127.2
120+
$3.53
$423.6
510+
$3.01
$1535.1
1020+
$2.82
$2876.4
2010+
$2.67
$5366.71
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
TO-247-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
41W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Tension Drain-Source (Vdss)
1700 V
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)
+19V, -8V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
202 pF @ 1.2 kV
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 550µA
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