E3M0900170J-TR
Référence :
E3M0900170J-TR
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-263
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$7.46
$7.46
10+
$5.01
$50.1
100+
$3.61
$361
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
41W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263-7
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension Drain-Source (Vdss)
1700 V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 550µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
202 pF @ 1.2 kV
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