ECB2R1M12YM3
Référence :
ECB2R1M12YM3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC, MODULE, 2.1M, 1200V, 152MM,
Boîtier :
Conditionnement :
Box
Quantité :
1601
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1588.13
$1588.13
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage
-
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Configuration
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
700A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 550A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 167mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1696nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
51300pF @ 800V
Puissance - Max
1.852kW
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