EPC2016C
Référence :
EPC2016C
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
44650
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.74
$3.74
10+
$2.44
$24.4
100+
$1.7
$170
500+
$1.46
$730
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Statut de la pièce
Not For New Designs
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 50 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Vgs (Max)
+6V, -4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
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