EPC2057
EPC2057
EPC2057
Référence :
EPC2057
Catégorie :
-
Fabricant :
EPC
Description :
TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
10872
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$2.5
$2.5
10+
$1.6
$16
100+
$1.09
$109
500+
$0.87
$435
1000+
$0.84
$840
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension Drain-Source (Vdss)
50 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
444 pF @ 25 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
9.6A (Ta)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 6A, 5V
Derniers produits
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-