EPC2252
EPC2252
EPC2252
Référence :
EPC2252
Catégorie :
-
Fabricant :
EPC
Description :
TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
9994
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$2.85
$2.85
10+
$1.84
$18.4
100+
$1.26
$126
500+
$1.01
$505
1000+
$1.01
$1010
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Dissipation de puissance (Max)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Tension Drain-Source (Vdss)
80 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 5 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 11A, 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
576 pF @ 50 V
Derniers produits
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-