EPC2304ENGRT
Référence :
EPC2304ENGRT
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 10000
Qté
Prix
Total
10000+
$4.81
$48100
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
200 V
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 5 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Fournisseur Dispositif Emballage
7-QFN (3x5)
Boîtier
7-PowerWQFN
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 8mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3195 pF @ 100 V
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