EPC2306ENGRT
Référence :
EPC2306ENGRT
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
2251
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$6.94
$6.94
10+
$4.66
$46.6
100+
$3.37
$337
500+
$3.37
$1685
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
48A (Ta)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 25A, 5V
Fournisseur Dispositif Emballage
7-QFN (3x5)
Boîtier
7-PowerWQFN
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
16.3 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2366 pF @ 50 V
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