EPC2367
Référence :
EPC2367
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$7.58
$7.58
10+
$5.11
$51.1
100+
$3.79
$379
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 5 V
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 10mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 30A, 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2170 pF @ 50 V
Fournisseur Dispositif Emballage
5-QFN (3.3x3.3)
Boîtier
5-PowerWQFN
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