EPC2619ENGRT
Référence :
EPC2619ENGRT
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 0
Qté
Prix
Total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 50 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
29A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 5.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 16A, 5V
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