EPC7014UBC
Référence :
EPC7014UBC
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
90
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$200.08
$200.08
10+
$184.4
$1844
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Dissipation de puissance (Max)
-
Fournisseur Dispositif Emballage
4-SMD
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V
Boîtier
4-SMD, No Lead
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 140µA
Vgs (Max)
+7V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
22 pF @ 30 V
Derniers produits
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scannez le QR code