FDP8442-F085
Référence :
FDP8442-F085
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
2350
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 180
Qté
Prix
Total
180+
$1.84
$331.2
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Boîtier
TO-220-3
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220-3
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Dissipation de puissance (Max)
254W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 80A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
12200 pF @ 25 V
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