FF06010E-3A
Référence :
FF06010E-3A
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SICFET N-CH 650V 169A TO-247-3L
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
100
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$63.17
$63.17
10+
$23.16
$231.6
100+
$21.58
$2158
600+
$21.06
$12636
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
169A (Tc)
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)
+18V, -8V
Dissipation de puissance (Max)
555W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V, 18V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3L
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7390 pF @ 400 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
315 nC @ 400 V
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