FF06020QA
Référence :
FF06020QA
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SICFET N-CH 650V 110A TO-247-4L
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
300
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$39.5
$39.5
10+
$14.48
$144.8
100+
$13.49
$1349
600+
$13.17
$7902
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Boîtier
TO-247-4
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4L
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Dissipation de puissance (Max)
405W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs (Max)
+18V, -8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 35A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 60mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
194 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4437 pF @ 400 V
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