FF06030Q
Référence :
FF06030Q
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SICFET N-CH 650V 65A TO-247-4L
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
300
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$21.33
$21.33
10+
$7.82
$78.2
100+
$7.29
$729
600+
$7.11
$4266
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
-
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Boîtier
TO-247-4
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4L
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs (Max)
+18V, -8V
Dissipation de puissance (Max)
202W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 30A, 18V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3015 pF @ 400 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 40mA
Derniers produits
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scannez le QR code