Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Dissipation de puissance (Max)
278W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4L
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 40mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3015 pF @ 400 V