Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4L
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Dissipation de puissance (Max)
555W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
136A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
750 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
329 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7252 pF @ 500 V