Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
277W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Tension Drain-Source (Vdss)
750 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 15 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 40mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 22A, 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2818 pF @ 500 V