Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
214W (Tc)
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 20mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 15 V
Tension Drain-Source (Vdss)
750 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TOLL
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 10A, 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1564 pF @ 500 V