FL06250A
Référence :
FL06250A
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SICFET N-CH 650V 10.7A TO-252
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 0
Qté
Prix
Total
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
15V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
10.7A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
46.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 6mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
18.2 nC @ 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
436 pF @ 400 V
Derniers produits
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scannez le QR code