FL06320G
Référence :
FL06320G
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SICFET N-CH 650V 8.8A PDFN8x8
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
300
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.65
$3.65
10+
$1.34
$13.4
100+
$1.25
$125
3000+
$1.22
$3660
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
41W (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Boîtier
4-PowerTSFN
Vgs (Max)
15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
344 pF @ 400 V
Fournisseur Dispositif Emballage
4-PDFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 4mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 12 V
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