FL06500A
Référence :
FL06500A
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SICFET N-CH 650V 6.1A TO-252
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
239
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$2.11
$2.11
10+
$0.77
$7.7
100+
$0.72
$72
3000+
$0.7
$2100
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
29W (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 1A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 3mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
10.3 nC @ 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
223 pF @ 400 V
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