FQA65N20
Référence :
FQA65N20
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
3905
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 200
Qté
Prix
Total
200+
$5.28
$1056
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
200 V
Boîtier
TO-3P-3, SC-65-3
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-3PN
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7900 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (Max)
310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 32.5A, 10V
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