G1K1P10TE
Référence :
G1K1P10TE
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET P-CH 100V 24A 88W TO-220
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
50
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.52
$1.52
10+
$0.96
$9.6
100+
$0.64
$64
500+
$0.5
$250
1000+
$0.45
$450
2000+
$0.41
$820
5000+
$0.37
$1850
10000+
$0.35
$3500
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET
P-Channel
Dissipation de puissance (Max)
88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 15A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3300 pF @ 50 V
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