GCMS080C120S1-E1
Référence :
GCMS080C120S1-E1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GEN3 1200V 80M SIC MOSFET & SBD
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
30
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$24.6
$24.6
10+
$17.73
$177.3
100+
$14.33
$1433
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Boîtier
SOT-227-4, miniBLOC
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-227
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Dissipation de puissance (Max)
118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1332 pF @ 1000 V
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