GCMX008C120S1-E1
Référence :
GCMX008C120S1-E1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1609
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$36.55
$36.55
10+
$26.98
$269.8
100+
$23.62
$2362
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
SOT-227-4, miniBLOC
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-227
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
188A (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Dissipation de puissance (Max)
536W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 100A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 40mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
506 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
14067 pF @ 1000 V
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