GCMX010B120S1-E1
Référence :
GCMX010B120S1-E1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1605
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$48.41
$48.41
10+
$36.33
$363.3
100+
$33.51
$3351
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
SOT-227-4, miniBLOC
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-227
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Vgs (Max)
+25V, -10V
Dissipation de puissance (Max)
652W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 40mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
418 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
10864 pF @ 1000 V
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