GCMX020A120B2T1P
Référence :
GCMX020A120B2T1P
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1200V 20 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Boîtier :
Conditionnement :
Tray
Quantité :
1610
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$79.33
$79.33
10+
$61.35
$613.5
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage
-
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
Module
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 40A, 18V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6200pF @ 800V
Puissance - Max
263W (Tc)
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