GCMX080A120B2T1P
Référence :
GCMX080A120B2T1P
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Boîtier :
Conditionnement :
Tray
Quantité :
1613
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$41.24
$41.24
10+
$30.65
$306.5
100+
$27.46
$2746
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage
-
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
Module
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Configuration
6 N-Channel (Phase Leg)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 800V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 18V
Puissance - Max
103W (Tc)
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