GE12050EEA3
Référence :
GE12050EEA3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
5
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$9678.9
$9678.9
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
Module
Fournisseur Dispositif Emballage
Module
Configuration
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Puissance - Max
1250W
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
475A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 160mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1248nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
29300pF @ 600V
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