GE17042BCA3
Référence :
GE17042BCA3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET 2N-CH 1700V 425A MODULE
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
1
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$2964.5
$2964.5
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
Module
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fournisseur Dispositif Emballage
Module
Puissance - Max
1250W
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)
1700V (1.7kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
425A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 160mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.45mOhm @ 425A, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1207nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
29100pF @ 900V
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