GP3T080A120H
Référence :
GP3T080A120H
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
10
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$6.3
$6.3
10+
$4.22
$42.2
100+
$3.03
$303
500+
$2.52
$1260
1000+
$2.42
$2420
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Dissipation de puissance (Max)
147W (Tc)
Boîtier
TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Vgs (Max)
+22V, -8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1351 pF @ 1000 V
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