GPI65007DF56
Référence :
GPI65007DF56
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
1635
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.85
$3.85
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
7A
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
2.1 nC @ 6 V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 3.5mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
76.1 pF @ 400 V
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