GPIXV30DFN
Référence :
GPIXV30DFN
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8
Boîtier :
Conditionnement :
Bag
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 0
Qté
Prix
Total
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
30A
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 3.5mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8.25 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
236 pF @ 400 V
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