GSFT10176
Référence :
GSFT10176
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
800
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.36
$3.36
10+
$2.18
$21.8
100+
$1.51
$151
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)
290W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8400 pF @ 50 V
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