GT2K6P15S
GT2K6P15S
GT2K6P15S
Référence :
GT2K6P15S
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET P-CH 150V -2A 1.8W SOP-8
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
100
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.12
$1.12
10+
$0.7
$7
100+
$0.46
$46
500+
$0.35
$175
1000+
$0.32
$320
2000+
$0.29
$580
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET
P-Channel
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Fournisseur Dispositif Emballage
8-SOP
Tension Drain-Source (Vdss)
150 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)
1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 2A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 75 V
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