HAT2114RJ-EL-E
Référence :
HAT2114RJ-EL-E
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
NCH POWER MOSFET 60V 6A 32MOHM S
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 2500
Qté
Prix
Total
2500+
$4.75
$11875
Statut de la pièce
Last Time Buy
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
150°C
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Puissance - Max
2W
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Tension Drain-Source (Vdss)
60V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-SOP
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
6A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40Ohm @ 3A, 10V
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