IGN1011L70
Référence :
IGN1011L70
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
11
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$282.62
$282.62
15+
$237.87
$3568.05
30+
$230.92
$6927.6
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Courant nominal (A)
-
Figure de Bruit
-
Gain
22dB
Tension - Test
50 V
Fréquence
1.03GHz ~ 1.09GHz
Puissance - Sortie
80W
Tension nominale
120 V
Technologie
GaN HEMT
Courant - Test
22 mA
Boîtier
PL32A2
Fournisseur Dispositif Emballage
PL32A2
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