IMZA120R022M2HXKSA1
Référence :
IMZA120R022M2HXKSA1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
IMZA120R022M2HXKSA1
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$17.62
$17.62
30+
$10.89
$326.7
120+
$9.72
$1166.4
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Boîtier
TO-247-4
Dissipation de puissance (Max)
329W (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+25V, -10V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V, 18V
Fournisseur Dispositif Emballage
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id
5.1V @ 10.1mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2330 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 32A, 18V
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