IMZA120R026M2HXKSA1
Référence :
IMZA120R026M2HXKSA1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
IMZA120R026M2HXKSA1
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$15.25
$15.25
30+
$9.3
$279
120+
$8.06
$967.2
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Boîtier
TO-247-4
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 18 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V, 18V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Fournisseur Dispositif Emballage
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id
5.1V @ 8.6mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (Max)
289W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 27A, 18V
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